Наименование: GW45HF60WD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GW45HF60WDA_GW45HF60WDB_GW45HF60WDC
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 160 nC
Тип корпуса: TO247
| Параметры |
| Базовая единица | шт. |
| Узел | Транзистор |
| Применяемость | Для инверторов |
| Склад | Харьков |
| Номер склада | 5 |